什么是第三代半導體？

 半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段：硅材料，砷化鎵材料，再到以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體（Wide bandgap semiconductor）。

一代半導體材料以硅為代表，引發(fā)了集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。第二代半導體材料以砷化鎵為代表，使半導體材料的應用進入光電子領(lǐng)域，尤其是在紅外激光器和高亮度的紅光二極管等方面。第三代半導體材料的興起，則是以氮化鎵（GaN）材料p 型摻雜的突破為起點，以高亮度藍光發(fā)光二極管（LED）和藍光激光器（LD）的研制成功為標志，包括氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石等寬禁帶材料。

 幾種典型的寬禁帶半導體材料

第三代半導體有哪些優(yōu)勢？

第三代半導體與前兩代半導體大的區(qū)別是禁帶寬度更寬，可以跨越從 0.7-6.2eV，所以我們又稱之為寬禁帶半導體材料。其具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，逐步受到重視。

典型半導體材料特性參數(shù)對比

典型的三族氮化物目前主要用于發(fā)光，通過改變材料的組分，其發(fā)射波長可以覆蓋從紫外到紅外。

三族氮化物中的翹楚——氮化鎵，帶隙3.4eV，在高功率、高速的光電元件中已有應用，目前商用藍光GaN 芯片已經(jīng)做到非常成熟，能夠做到80%以上的效率。以及紫光（405nm）激光大量應用。

GaN LED 芯片的發(fā)光原理及結(jié)構(gòu)示意圖

2014 年10 月7 日，赤崎勇、天野浩和中村修二（名字從左到右分別對應）因發(fā)明“高效藍色發(fā)光二極管”而獲得2014 年諾貝爾物理學獎。

第三代半導體的光致發(fā)光光譜測量

光致發(fā)光光譜定義為當一束光子能量足夠高（大于半導體材料的禁帶寬度Eg）的激光入射到半導體材料上，會將價帶的電子激發(fā)到導帶，從而在該材料中產(chǎn)生大量的電子空穴對，形成非平衡載流子。這些非平衡載流子隨即通過各種散射過程快速弛豫到相應能帶的底部，后發(fā)生復合產(chǎn)生熒光。采集該復合發(fā)光的光譜即稱為光致發(fā)光光譜。

PL 過程實際上是電子從較高能級向較低能級躍遷的過程中釋放出光子，釋放出的光子能量由這些高低能級的能量差來決定，其揭示了材料內(nèi)部能級位置。

PL 測量有以下幾種表征方式及意義：

● 室溫PL 測量主要可以分析材料的帶邊發(fā)光以及缺陷發(fā)光，以及材料表面的均勻性分析。

● 低溫PL 主要分析材料的發(fā)光特性如施主、受主發(fā)光，深能級或淺能級缺陷發(fā)光。

● 變溫PL 可以根據(jù)光譜隨溫度變化趨勢來進一步指認發(fā)光峰的性質(zhì)。

● 變功率PL 則根據(jù)改變注入載流子濃度來分析材料的性質(zhì)。

● 時間分辨光致發(fā)光（TRPL），包含時間分辨發(fā)射光譜和熒光壽命衰減曲線兩種，用于了解載流子弛豫過程，有時候載流子的空間擴散也會體現(xiàn)在時間分辨光譜中。

已搭建的客戶案例

全新設計及一站式解決方案

（1）全新900 系列穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜儀

以氙燈作為主機激發(fā)光源實現(xiàn)發(fā)光材料熒光光譜測量，現(xiàn)搭配266nm、325nm 等紫外激光器耦合，實現(xiàn)寬禁帶半導體的PL 測量，發(fā)光材料的熒光光譜測量兩不誤。

（2）單純激光器激發(fā)的PL 測試系統(tǒng)，266nm、325nm 等紫外激光器可選

（3）顯微PL 測量系統(tǒng)：解決弱信號、微區(qū)光譜、PL mapping、拉曼光譜表征的測量訴求

（4）輕松選配件，放心做實驗

紫外激光器選件： 日本Kimmon 廠家的325nm He-Cd 激光器，功率35mW，不僅僅是激光器本身，還有優(yōu)質(zhì)的激光線純化濾光片、高通濾光片配套。

紫外激光器選件：德國 CryLas 廠家的266nm 固體激光器，同樣搭配優(yōu)質(zhì)激光線純化濾光片，高通濾光片配套。

變功率 PL 測量選件：以色列Ophir 廠家PD300-UV 激光功率計及Vega 表頭，功率計，參與激光功率標準制定，先鋒科技代理。

低溫變溫 PL 測量選件：英國Oxford 廠家3-300K 閉環(huán)制冷機（配套包含冷頭、壓縮機、水冷機、分子泵）