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■ 碲鎘汞探測(cè)器(HgCdTe) ———液氮制冷型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:2~22μm。 有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS兩種類型,其中: ◆ DMCT(x)-De為液氮制冷型,x-12/ 14/ 16/ 22,四種截止波長(zhǎng)可選,適合一般測(cè)量,須選配前置放大器; ◆ DMCT12-HS為液氮制冷高速響應(yīng)型,集成前置放大器,響應(yīng)時(shí)間小于50ns;
HgCdTe
生產(chǎn)廠家
2024-05-20
4918
■ 銻化銦探測(cè)器(InSb)$n———液氮制冷型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:1~5.5μm$n 有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS兩種類型,其中:$n◆ DInSb5-De(x)為液氮制冷型,x-01/ 02/ 04/ 07,四種光敏面尺寸可選,適合一般測(cè)量,須選配前置放大器$n◆ DInSb5-HS為液氮制冷高速響應(yīng)型,集成前置放大器,響應(yīng)時(shí)間小于25ns
InSb系列
生產(chǎn)廠家
2024-05-20
5406
■ 砷化銦探測(cè)器(InAs)$n———近紅外探測(cè)器 波長(zhǎng)范圍:1-3.8μm$n DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào),其中:◆ DInAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件;◆ DInAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件。
InAs系列
生產(chǎn)廠家
2024-05-20
3445
■ 硫化鉛探測(cè)器(PbS)$n———常溫型紅外探測(cè)器,波長(zhǎng)范圍:0.8-3.2μm$nDPbS2900/3200兩種型號(hào),兩種探測(cè)器室的外觀相同(內(nèi)帶前置放大器)
PbS
生產(chǎn)廠家
2024-05-20
7299
常溫型銦鎵砷探測(cè)器(InGaAs)$n——室溫型近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8-1.7μm(2.6μm)$n● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件;$n● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件;
DInGaAs系列
生產(chǎn)廠家
2024-05-20
4631
DSi系列硅光電探測(cè)器 高靈敏型硅、紫外增強(qiáng)型,使用范圍:200~1100nm;
DSi系列
生產(chǎn)廠家
2024-05-19
6367
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